Article by Nongkoo OverclockTeam On November 20, 2021 778 views
เผยข้อมูลเแรมรุ่นใหม่ DDR6-12800 จากทาง Samsung อยู่ในขั้นตอนการผลิตสามารถโอเวอร์คล๊อกได้สูงถึง 17000 MT/s และแรม GDDR7 ที่ความเร็วสูงถึง 32 Gbps กำลังพัฒนาใช้งานในการ์ดจอรุ่นใหม่ในอนาคต

เผยข้อมูลเแรมรุ่นใหม่ DDR6-12800 จากทาง Samsung อยู่ในขั้นตอนการผลิตสามารถโอเวอร์คล๊อกได้สูงถึง 17000 MT/s และแรม GDDR7 ที่ความเร็วสูงถึง 32 Gbps กำลังพัฒนาใช้งานในการ์ดจอรุ่นใหม่ในอนาคต

samsung-next-gen-memory-ddr6-12800-gddr7

วันนี้ก็มีข่าวจากผู้ผลิตแรมรายใหญ่ของโลกอย่าง Samsung ที่เผยข้อมูลจากทาง ComputerBase ออกมาถึงข้อมูลของเแรม DDR6-12800 รุ่นใหม่จากทาง Samsung อยู่ในขั้นตอนการผลิตสามารถโอเวอร์คล๊อกได้สูงถึง 17000 MT/s หลังจากที่พึ่งจะมีการเปิดตัวแรม DDR5 ไปในซีพียู Intel Alder Lake และแรมที่ใช้งานในกราฟฟิกการ์ด GDDR7 ที่ความเร็วสูงถึง 32 Gbps กำลังพัฒนาใช้งานในการ์ดจอรุ่นใหม่ในอนาคต โดยข้อมูลบางอย่างเกี่ยวกับ GDDR6 ได้รับการเปิดเผยโดย Samsung นั้นเห็นได้ชัดว่าขณะนี้บริษัทกำลังพัฒนามาตรฐาน GDDR6+ รุ่นใหม่ที่มีความเร็วสูงถึง 24 Gbps ซึ่งสูงกว่า 18 Gbps ที่ใช้งานใน GDDR6 ในรุ่นปัจจุบัน ซึ่งจะถูกผลิตขึ้นโดยใช้กระบวนการ 1z nm ของ Samsung ในเร็วๆ นี้ และทาง ComputerBase ยังได้รายงานด้วยว่า Samsung จะเริ่มการผลิตแรม HBM3 (High-Bandwidth-Memory Gen3) รุ่นใหม่ในไตรมาสที่สองของปี 2022 ปีหน้าที่จะถึงนี้อีกด้วยครับ ก็ถือเป็นข้อมูลที่น่าสนใจเป็นอย่างมากครับสำหรับชิปแรม Samsung ที่จะพัฒนาในอนาคต

samsung-ddr6-768x226

tech-day-2021-768x163

samsung-ddr5-gddr6-memory-banner-1536x305

ที่มา https://videocardz.com/