system ที่ใช้ในการอัดแรมทั้ง2ตัวนี้ครับ

-CPU-            AMD64 3000+ socket939 winchester
-Mainboard-  DFI LanpartyUT NF4 Ultra-D bios Ver2.18beta
-Ram-            **ROX  (Vdata) 512*2 winbond UTT (brainpower pcb)
                      **Geil ultra X pc3200 256*2 samsung TCCD (brainpower pcb)
-VGA-            Gigabyte X700Pro  @430/500
-HDD-            Maxtor 80G sata
-PSU-             Enermax 460W 24pin
-OS-               WindowsXP service pack2
-Driver-         -MB : nForce driver Ver6.53
                      -VGA : catalyst Ver5.4

มาดูความสามราถในการโอเวอร์คล็อกกันก่อนครับ

winbond UTT (rox Vdata)

จากกราฟจะเห็นว่า แรมที่ใช้ชิป winbond UTT นั้น ถ้าเรายิ่งใส่ไฟเลี้ยงเข้าไปเท่าไหร่ ก็จะยิ่งสามารถโอเวอร์คล็อกได้สูงขึ้นเรื่อยๆ (รันที่ 2-2-2-5 ตลอดครับ คลิกที่ตัวเลขในตารางเพื่อดูผลการรัน super PI) แต่ก็ขึ้นอยู่กับการระบายความร้อนด้วยครับ *และกับ system ของผมพบว่าไม่สามารถปรับไฟแรมให้ต่ำกว่า 2.7V ได้เลยครับ ถึงจะปรับเป็น 2.5V หรือ 2.6V ไฟแรมก็จะยังแสดงว่าเป็น 2.7V อยู่ดี

samsung TCCD (Geil ultraX)

มาถึงแรมที่ใช้ชิป TCCD กันบ้างครับ จะเห็นได้ว่าการเพิ่มค่า timmings แรม มีผลต่อการลากบัสเป็นอย่างมากครับ ยิ่งเพิ่มก็ยิ่งลากบัสได้มากขึ้น และเนื่องจากแรม TCCD ของผมคาดว่าเป็นล็อตหลังๆที่ผลิตออกมา(วีค440) ซึ่งสามารถตอบสนองกับการอัดไฟแรมได้ดีครับ อุอุ จึงทำการทดสอบที่ไฟแรม 3.1V ครับ ยกเว้นที่ความเร็วเกินกว่าบัส300(ที่มีเครื่องหมาย*)จะไม่สามารถเข้าวินโดว์ได้ที่ไฟแรมสูงกว่า2.8Vครับ (ซึ่งผมเองก็งงๆเหมือนกัน อิอิ ก่อนหน้านี้ก็ใช้ได้ครับ)

การปรับตั้งค่าของเมนบอร์ด DFI lanparty NF4 ในการทดสอบ

เป็นค่า setting แยกเป็นแรมแต่ละชนิดครับ

เป็นการปรับตั้งค่าที่เค้นแบนวิดธ์พอสมควรกับแรมทั้ง 2 ชนิดเลยครับ และจะตั้ง LDT.ไว้ที่4x ด้วยครับ เพื่อความแรง อิอิ(300*4ได้บัส hyper transport ที่ 1200MHz ครับ หุหุ)

โดยในการทดสอบจะใช้อัตราทดแรม 1ต่อ1(200MHz)เพียงอย่างเดียวสำหรับแรม TCCD โดยจะรันที่ CPU*HTT = 9*300 DRAM Freq.200MHz(1ต่อ1 แรมรันที่bus300)โดยใช้ค่า setting ตามด้านบนครับ

ส่วนแรม winbond UTT จะใช้อัตราทดแรมต่างๆกัน ดังนี้ครับ

-CPU*HTT=9*270 DRAM Freq.200MHz (1ต่อ1 แรมรันที่บัส 270)

-CPU*HTT=9*300 DRAM Freq.180MHz (ทดแรม9/10 แรมทำงานที่บัส 270)

-CPU*HTT=9*300 DRAM Freq.166MHz (ทดแรม7/10 แรมทำงานที่บัส 245)

บางท่านอาจจะสงสัยครับว่าทำไมต้องรันทดแรมกันด้วย แล้วมันจะแรงเหรอ เหตุผลก็เพื่อเรียกความเร็วของ CPU ออกมาให้ได้สูงๆครับ แล้วก็ได้ประโยชน์ความแรงจากบัส HTT ที่สูงด้วยครับ

ต่อไปก็ถึงผลจากโปรแกรมทดสอบต่างๆแล้วครับ

โปรแกรมทดสอบที่ใช้

1.Sisoftware sandra 2005

2.Everest home edition

3.PCmark2002

4.PCmark04

5.3dmark2001se

6.aquamark3

 Sisoftware sandra 2005

-ทดสอบแบบธรรมดา ใช้ buffer

แรม TCCD ก็แสดงพลังของแรม ddr600 ออกมาได้เป็นอย่างดีเลยครับ ได้แบนวิดธ์ออกมาเกือบ 8GB/s นำเป็นหัวแถวเลยทีเดียว ส่วนแรม UTT นั้นก็ตามมาอย่างห่างๆในอันดับสองโดยทดแรมอยู่ที่180ครับ เค้นแบนวิดธ์ออกมาได้ 7.6GB/s เลยทีเดียวครับ

-ทดสอบแบบไม่ใช้ buffer ซึ่ง latency จะมีผลต่อแบนวิดธ์แรมที่ได้เป็นอย่างมากครับ

ในการทดสอบนี้แรมที่ใช้ชิป TCCD กลับตกไปเป็นอันดับ3 ปล่อยให้แรม UTT ที่ทดแรม 180และ166 นำขึ้นไปอย่างไม่เกรงใจกันเลย