ซัมซุงประกาศได้พัฒนา DRAM LPDDR5 รุ่นใหม่ล่าสุดขนาด 10nm ความจุ 8Gb ซึ่งแรงกว่าเดิม 1.5เท่า กินไฟต่ำกว่าเดิมพร้อมใช้กับสมาร์ทโฟนรุ่นใหม่ในอนาคต

วันนี้มีข่าวจากทาง Samsung ผู้ผลิตแรมรายใหญ่ของโลกที่ประกาศเปิดตัวแรม DRAM LPDDR5 รุ่นใหม่ล่าสุดขนาด 10nm ขนาด 8Gb โดยแรม LPDDR5 8Gb มีอัตราข้อมูลสูงสุดถึง 6,400 เมกะบิตต่อวินาที (Mb / s) ซึ่งเร็วกว่าชิป DRAM มือถือที่ใช้กับอุปกรณ์มือถือรุ่นล่าสุด (LPDDR4X, 4266Mb / s) ถึง 1.5 เท่า ด้วยอัตราการถ่ายโอนที่เพิ่มขึ้น LPDDR5 รุ่นใหม่นี้สามารถส่งถ่ายข้อมูลได้ถึง 51.2 กิกะไบต์ (GB) หรือประมาณ 14 ไฟล์วิดีโอความละเอียดสูง (3.7GB) ในหนึ่งวินาที ซึ่งแรม LPDDR5 DRAM ขนาด 10nm นั้นจะมีให้เลือกสองแบนด์วิดท์ - 6,400Mb / s ที่แรงดันไฟฟ้าทำงาน 1.1 (V) และ 5,500Mb / s ที่ 1.05V เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพการประหยัดพลังงานแรม LPDDR5 ขนาด 10nm นั้นได้รับการออกแบบเพื่อลดแรงดันไฟฟ้าเพื่อให้สอดคล้องกับความเร็วในการทำงานของตัวประมวลผลแอ็พพลิเคชันที่เกี่ยวข้องเมื่ออยู่ในโหมดใช้งาน นอกจากนี้ยังได้รับการกำหนดค่าเพื่อหลีกเลี่ยงการเขียนทับเซลล์ด้วยค่า ‘0′ นอกจากนี้ชิป LPDDR5 รุ่นใหม่นี้จะมีโหมด ‘Deep sleep Mode’ ซึ่งจะลดการใช้พลังงานลงเหลือประมาณครึ่งหนึ่งของ ‘Idle Mode’ ของci, LPDDR4X DRAM ที่ใช้อยู่ในปัจจุบัน ด้วยคุณสมบัติที่ใช้พลังงานต่ำนี้ LPG DRAM DRAM 8Gb จะช่วยลดการใช้พลังงานได้ถึง 30 เปอร์เซ็นต์ ทำให้ประสิทธิภาพของอุปกรณ์เคลื่อนที่เพิ่มขึ้นและยืดอายุการใช้งานแบตเตอรี่ของสมาร์ทโฟน บนพื้นฐานของแบนด์วิดธ์และประสิทธิภาพด้านพลังงานชั้นนำของอุตสาหกรรมนี้แรม LPDDR5 จะสามารถใช้งานแอพพลิเคชัน AI และเครื่องเรียนรู้ได้และจะรองรับ UHD สำหรับโทรศัพท์มือถือทั่วโลก ซัมซุงร่วมกับผู้จัดจำหน่ายชิปชั้นนำของโลกได้ทดสอบและตรวจสอบความสมบูรณ์ของแพคเกจ LPDDR5 DRAM แบบเดิม 8GB ซึ่งประกอบด้วย 8 ชิป LPDDR5 ขนาด 8Gb ซัมซุงวางแผนที่จะเริ่มการผลิตกลุ่มผลิตภัณฑ์ DRAM ยุคถัดไป (LPDDR5, DDR5 และ GDDR6) ตามความต้องการของลูกค้าทั่วโลกโดยใช้โครงสร้างพื้นฐานด้านการผลิตที่ทันสมัยในโรงงานเมืองพยองซอกประเทศเกาหลีใต้

ที่มา http://www.guru3d.com/