SK Hynix เผย 3D NAND รุ่นใหม่เจนเนอเรชั่น 8 โดยมีเลเยอร์มากถึง 300 เลเยอร์

วันนี้ก็มีข่าวจากฝั่ง SK Hynix ที่ได้เผยข้อมูล 3D NAND รุ่นใหม่เจนเนอเรชั่น 8 ที่มีเลเยอร์มากถึง 300 เลเยอร์  จากการเปิดเผยจากทาง Tom’s Hardware มีข้อมูลใหม่เกี่ยวกับเทคโนโลยี 3D NAND เจนเนอเรชั่น 8 รุ่นใหม่ที่จะเปิดตัวในอนาคตจะมีเลเยอร์มากกว่า 300 เลเยอร์ใช้งานความจุ 1Tb (128GB) ที่ความหนาแน่นสูงกว่ามากที่ 20 Gb ต่อตารางมม. มันจะมีทรูพุตที่เร็วกว่าหน่วยความจำ 238 ชั้นถึง 18% ซึ่งสูงถึง 194 MB/s โดยทางบริษัทได้ประกาศการพัฒนาหน่วยความจำแฟลช 4D NAND แบบ 238 เลเยอร์ ซึ่งหน่วยความจำนี้คาดว่าจะเข้าสู่การผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งแรกของปีนี้

ที่มา https://videocardz.com/