SK hynix ตั้งเป้าการผลิตชิป NAND 400 เลเยอร์ในปี 2025

มีรายงานว่า SK hynix กำลังพัฒนาหน่วยความจำแฟลช NAND 400 เลเยอร์ โดยมีแผนจะเริ่มการผลิตจำนวนมากภายในปลายปี 2568 บริษัทกำลังร่วมมือกับพันธมิตรด้านซัพพลายเชนเพื่อพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการและอุปกรณ์ที่จำเป็นสำหรับชิป NAND 400 เลเยอร์และสูงกว่า ข้อมูลนี้มาจากบทความล่าสุดโดย etnews สื่อเกาหลีที่อ้างถึงแหล่งข่าวในอุตสาหกรรม

SK hynix ตั้งใจที่จะใช้เทคโนโลยีการเชื่อมแบบไฮบริดเพื่อให้บรรลุเป้าหมายนี้ ซึ่งคาดว่าจะนำซัพพลายเออร์วัสดุบรรจุภัณฑ์และส่วนประกอบใหม่ๆ เข้าสู่ห่วงโซ่อุปทาน กระบวนการพัฒนาเกี่ยวข้องกับการสำรวจวัสดุพันธะใหม่และเทคโนโลยีต่างๆ สำหรับการเชื่อมต่อเวเฟอร์ที่แตกต่างกัน รวมถึงการขัด การแกะสลัก การสะสม และการเดินสายไฟ SK hynix ตั้งเป้าที่จะเตรียมเทคโนโลยีและโครงสร้างพื้นฐานให้พร้อมภายในสิ้นปีหน้า