Samsung, SK Hynix และ Micron เปิดตัวหน่วยความจำ HBM4 รุ่นใหม่ล่าสุด

Samsung, SK Hynix และ Micron เปิดตัวหน่วยความจำ HBM4 รุ่นใหม่ล่าสุด

วันนี้ก็มีข่าววงการชืปแรมหรือหน่วยความจำของแบรนด์ดัง 3แบรนด์ผู้ผลิตชิปแรมระดับโลกก็คือ Samsung, SK Hynix และ Micron ได้ประกาศเปิดตัวหน่วยความจำ HBM4 รุ่นใหม่ล่าสุด ซึ่งในงาน GTC2025 ทาง nvidia ก็ได้ประกาศเปิดตัวชิป GPU รุ่นใหม่ที่มาพร้อมชิปแรม HBM4e รุ่นใหม่ในอนาคตที่ใช้งานใน Data Center โดยภาพตามโรดแมปก็คาดว่าจะมีขึ้นในปี 2026 สำหรับสเปกของแรม HBM4 นั้นจะมีความเร็ว 9.2Gbps ถึง 10Gbps จะมีสแตคชั้นคือ 8-12 ถึง 16 ชั้นเลยทีเดียว ความจุ 48-64GB ต่อ Stack ครับ ก็รอดูครับว่าปีหน้าเทคโนโลยี HBM4 และ HBM4e จะเปิดตัวอย่างเป็นทางการและใช้ในชิป GPU หรือผลิตภัรฑ์ในบ้างน่าติดตามครับ