SK hynix ร่วมมือกับ Intel พัฒนาแรม 1anm DDR5 DRAM ซึ่งใช้เทคโนโลยีการผลิต 10 nm พร้อมใช้งานกับซีพียู Intel Xeon Scalable 4th Gen รุ่นใหม่ล่าสุด

SK hynix ร่วมมือกับ Intel พัฒนาแรม 1anm DDR5 DRAM ซึ่งใช้เทคโนโลยีการผลิต 10 nm พร้อมใช้งานกับซีพียู Intel Xeon Scalable 4th Gen รุ่นใหม่ล่าสุด

วันนี้ก็มีข่าวจากทาง SK hynix ผู้ผลิตชิปแรมชื่อดังที่ได้ออกมาประกาศเปิดตัวชิปแรม 1anm DDR5 DRAM รุ่นใหม่ล่าสุดที่ทำการพัฒนาร่วมกับทาง Intel ซึ่งใช้เทคโนโลยีการผลิตขนาด10 nm พร้อมรองรับการทำงานซีพียูอินเทลรุ่นใหม่ล่าสุดในรุ่น Intel Xeon Scalable 4th Gen ที่เปิดตัวกันไปเมื่อไม่กี่วันมานี้ ซึ่งเป็นครั้งแรกสำหรับอุตสาหกรรมแรม DDR5 จากทาง SK Hynix ที่ใช้ EUV หรือ Extreme ultraviolet, lithography .ในกระบวนการผลิต โดยทาง SK hynix ร่วมมือกับ Intel เพื่อรับการตรวจสอบการใช้งานเบื้องต้นสำหรับแรม 1anm DDR5 DRAM บนซีพียู 4th Gen Xeon Scalable รุ่นใหม่ล่าสุด ซึ่งจะตอบโจทย์ผู้ใช้งานให้ได้ใช้งานแรมประสิทธิภาพสูงอย่างเต็มประสิทธิภาพกับซีพียู Intel Xeon Scalable 4th Gen รุ่นใหม่ล่าสุดนั่นเองครับ

ที่มา https://wccftech.com/